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陈进一想到张云似乎並非技术工程师的身份，还是耐心的解释了：
“这台ssa60020採用的是193nm氟化氬深紫外光源。
它的曝光波长达到了28纳米，採用沉浸式光刻技术。
配合我们自研的双工作檯系统，每小时能完成120片晶圆的曝光作业，套刻精度控制在3纳米以內。
它的光源系统用了我们自己研发的准分子雷射器，稳定性比进口设备提升了15%。
而且重点零部件国產化率超过80%。
当然，和国际顶尖的5纳米光刻机比，还有差距。
但这已经是我们目前能拿出的最好成果了。
目前，我们还在集中攻克7纳米製程的量產问题。”
陈进一的话有些无奈，龙国的半导体行业，尤其是光刻机技术还是太落后了些。
谁都知道半导体领域想要突破，核心中的核心就是光刻机。
如今龙国大部分高端晶片，都需要依赖进口生產。
而且存在技术专利的问题，每年都要上一大笔授权费用。
眼前这台机子已经是好几年前的產物了，光是7纳米级別的生產就已经卡了他们许多年。
张云听完后，紧接著问道：
“它在七纳米以下的製程上有什么问题吗？”
陈进一没想到他会直接问出这个问题，愣了一下才回答：
“问题还不少，主要是在多重曝光的叠加误差上。
duv的波长是193nm，从根本上限制了解析度的理论上限。
目前28纳米波长要实现7纳米製程，需要进行4次曝光。
但每次曝光的定位误差会累积，目前最多只能稳定在9纳米左右，离量產要求的7纳米还有距离。”
严正行听到这里，嘆了口气，心里摇了摇头。
这就是他当初为什么离开龙国的原因了。
和世界顶尖的光刻机相差数代的技术，要怎么靠努力去追赶？
但靠张云可以呀！
张云等人此次前来的目的，自然是为了解决晶片生產问题，使其能够在战备状態下提供应有的支持。
不过张云还没有天真到，认为能几个月时间就造出一台超越euv光刻机的东西。
虽然张云的脑中確实有全套光刻机的生產技术。
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