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变大。
而对于一个LC振荡回路，电容变大，振荡频率……
自然会下降。
“啧，原来如此，绕了半天，不就是个‘水囊并联’的问题么？还非得用麦克斯韦方程组包层金边，出题人真够能绕的。”
林允宁心里嫌弃地吐槽一句，终于动笔。
却不是去推导繁琐的边界条件。
他在图下，写下了结论的核心??
能量法的一阶微扰公式：
Δωω≈-12*[∫Δε*|E|?dV][∫ε*|E|?dV]
他没有去浪费时间去一步步推导这个公式，而是直接引用了结论。
毕竟，竞赛场不是课堂，简单的Slater一阶频移定理结果，没必要慢慢展开。
但他还是用简洁的一句话，将这冰冷的数学符号，翻译成了生动的物理图像：
“插入介质片（Δε>0），等效于增加了该区域的电能存储能力。
为维持腔内电磁场能量在时间上的平均守恒，系统总能量对应的谐振频率必须下降。”
第一问，解决！
接下来，一切都顺理成章。
他将那复杂的体积分，用一个极其巧妙的近似，变成了与位置相关的代数式：
由于介质片极薄，体积分可近似为：
Δff≈-12*Δεε*SδV_eff*[|E|?_slab<|E|?>]
物理图像清晰无比：
频移的大小，正比于介质片的体积分数，以及它所在位置的“能量密度”
，也就是场强的平方。
他在那幅简笔画的中央位置，画了一个小小的箭头，标注：
“反节点，|E|?最大，频移最大”
。
又在靠近金属壁的两侧画了两个箭头，标注：
“节点，|E|?→0，频移趋近于零”
。
寥寥数笔，后两问的答案，也已经跃然纸上。
最后，他甚至懒得代入任何具体数字，只用两行清晰的文字，给出了最核心的数量级估算：
“数量级估算：若ε_r~2Δεε~1，薄片体积分数SδV_eff~10??，则频移量级|Δff|~10??。
频移大小与介质片厚度δ、介电常数增量Δε成正比，并强烈依赖于其在电场中的位置。”
答题纸上，那幅简洁的场分布图，像是从纸页里“浮”
了出来，拥有了自己的生命。
所有的公式和文字，都像是为它精心编写的注脚。
第一排，卫骁依旧在笔耕不辍。
她以严谨的矩阵理论，构造了扰动后的等效导纳，列出了边界条件的修正本征方程，将“严谨”
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