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这样就可以考察间隔时间相同的情况下，间隔数字对记忆的影响，也可以考察在间隔数字相同的情况下，间隔时间对记忆的影响。
沃和诺尔曼的实验结果如图6-6所示。
图6-6沃和诺尔曼的实验结果
从图6-6可以看出，无论是快速还是慢速呈现数字，正确回忆率都随间隔数字的增加而减少，两种呈现速度的实验结果非常接近。
这说明，正确回忆率并没有受单词呈现速度的影响，而受干扰数字影响非常大，表现为间隔的数字越多，回忆的正确率越低。
显然，沃和诺尔曼的实验支持了短时记忆的干扰理论，即短时记忆的遗忘可能主要是由于记忆受到了其他材料或者活动的干扰。
（七）长时记忆信息的存储可能会发生哪些变化？为什么？
长时记忆在存储阶段，保持的经验并不会一成不变，而会发生一定的变化。
这种变化表现在量和质两个方面。
在量的方面，记忆保持信息量随着时间的推移而逐渐下降，这可能是由于受到其他材料的干扰。
在质的方面，由于受个体知识、经验差异的影响，存储的信息会发生不同程度的变化，表现在：①回忆的内容更加简略和概括，不重要的细节逐渐趋于消失；②回忆的内容变得更加完整、合理和有意义；③回忆的内容变得更加具体，或者夸张、突出。
这种质的变化，主要是由于个体已有知识、经验和保持的信息之间存在相互作用，这种相互作用决定了长时记忆的存储是一个动态的变化过程。
因此，回忆出的信息和编码时的信息可能存在差异。
（八）影响遗忘的因素有哪些？
遗忘受很多因素的影响，主要包括以下几个方面。
1.识记后的时间
根据艾宾浩斯遗忘曲线，遗忘是时间的函数，遗忘的进程是先快后慢，即识记后较短时间内遗忘较多，以后遗忘的速度变慢。
2.识记材料的性质与数量
一般来讲，记忆形象的材料比记忆抽象材料遗忘得慢；记忆有意义的材料比记忆无意义的材料忘得慢；在学习时间相等的情况下，学习材料越多，忘得也会较快。
3.学习程度的影响
适当的过度学习有利于记忆的保持，因此要进行适当的过度学习。
过度学习是指在刚好记住的情况下再次进行的学习。
4.识记材料的系列位置效应
在记忆系列呈现的材料时，一般来讲，开头、结尾的材料记忆得好，中间的材料记忆得较差，这种现象被称为记忆的系列位置效应。
5.识记者的目的、态度、兴趣等
有明确识记目的的记忆效果好。
符合需要、感兴趣的材料更容易记住。
（九）简述有关长时记忆遗忘的几种理论解释。
造成长时记忆遗忘的原因是多方面的，不同理论对此进行了不同的解释。
记忆的衰退学说认为，记忆的遗忘是记忆痕迹得不到强化而逐渐减弱、消退的结果。
也就是说，我们记忆一定的材料后需要一个巩固的过程，但由于没有及时复述或者复述的次数不够多，因此记忆痕迹（神经元之间联系的通路）没有巩固，从而导致了遗忘。
记忆痕迹就好像沙滩上的小路，如果很长时间没有人行走，小路会逐渐消失。
记忆的干扰学说认为，遗忘是由于记忆受到了其他材料或者活动的干扰，记忆的痕迹并没有消失。
有关前摄抑制和倒摄抑制的大量研究都表明，干扰能够导致遗忘。
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